Intel lansează primul tranzistor 3D din lume

Intel, cel mai mare producător de cipuri din lume, a anunţat începerea producţiei în masă a tranzistorilor care folosesc o structură tridimensională.

Intel va începe anul acesta producţia de masă pentru revoluţionarul tranzistor 3D, numit Tri-Gate, anunţat prima dată în 2002. Noul tranzistor va fi încorporat în procesorul “Ivy Bridge”.
Tranzistorii tridimensionali Tri-Gate reprezintă un avans tehnologic foarte mare, comparativ cu structura anterioară bidimensională, care a fost folosită atât pentru toate computerele, telefonele mobile sau electronicele de larg consum, cât şi pentru aparatele de control electronic al maşinilor, nave spaţiale, aparate electrocasnice, dispozitive medicale şi sute de alte aparate din ultimul deceniu.

Oamenii de ştiinţă au recunoscut importanţa structurii 3-D în susţinerea dinamicii Legii lui Moore. În timp ce dimensiunile produselor devin din ce în ce mai mici, legile fizicii împiedică avansul tehnologic. Esenţa anunţului de astăzi este abilitatea Intel de a începe producţia în masă a tranzistorilor 3-D Tri-Gate, deschizând în acelaşi timp o nouă eră a Legii lui Moore, care va conduce la apariţia unei noi generaţii de inovaţii pentru un spectru larg de dispozitive.

Legea lui Moore a anticipat dinamica dezvoltării tehnologiei pe bază de siliciu. Legea susţine că la fiecare doi ani numărul de tranzistori care se poate amplasa pe un circuit integrat se dublează, iar performanţa creşte şi costurile scad. Legea lui Moore a devenit modelul de business de bază pentru industria semiconductorilor din ultimii 40 de ani.
 
Performanţă crescută şi consum redus de energie

Tranzistorii Intel 3-D Tri-Gate permit chip-urilor să funcţioneze la voltaj scăzut, dispunând de o performanţă îmbunătăţită şi eficienţă energetică, faţă de generaţiile anterioare. Aceste capabilităţi oferă producătorilor de chip-uri flexibilitatea de a alege tranzistori creaţi pentru consum redus de energie şi eficienţă crescută, în funcţie de aplicaţii.

Tranzistorul 3-D Tri-Gate pe 22nm oferă o perfomanţă crescută cu până la 37%, comparativ cu versiunea anterioară pe 32nm. Rata de creştere a performanţei se traduce prin faptul că noile produse vor putea fi integrate în dispozitive de mici dimensiuni. Noii tranzistori consumă mai puţin de jumătate din energia utilizată la aceeaşi perfomanţă de un tranzistor pe 32nm.

Continuând dinamica inovaţiei – Legea lui Moore

Tranzistorii continuă să devină mai inteligenţi, mai ieftini şi mai eficienţi din punct de vedere energetic, în conformitate cu Legea lui Moore – numită după co-fondatorul Intel, Gordon Moore. Datorită acesteia, Intel a putut inova prin adăugarea de noi caracteristici şi nuclee pentru fiecare chip, crescând performanţa şi scăzând costurile de producţie ale tranzistorilor.

Susţinerea progresului Legii lui Moore devine şi mai complexă cu noua generaţie de tranzistori pe 22nm. Anticipând acest lucru, cercetătorii Intel au inventat în 2002 ceea ce ei numesc tranzistorul Tri-Gate, numit aşa după cele trei laturi ale porţii. Anunţul de azi vine după ani întregi de cercetare a diviziei R&D a Intel şi marchează implementarea acestui efort pentru producţia de masă.

Tranzistorii 3-D Tri-Gate au reinventat practic această industrie. Controlul curentului este acum realizat prin implementarea unei porţi pe fiecare dintre cele trei laturi. Controlul adiţional permite o mai mare circulaţie a curentului atunci când tranzistorul funcţionează (pentru performanţă) şi aproape de zero atunci când tranzistorul nu e folosit (pentru minimizarea consumului de energie) şi permite tranzistorului să treacă foarte repede de la o stare la alta (pentru performanţă).

Aşa cum zgârie-norii permit arhitecţilor să optimizeze spaţiul urban prin realizarea de construcţii înalte, structura tranzistorilor 3-D Tri-Gate oferă un nou mod de a gestiona densitatea. Datorită noului mod de construcţie, distanţa dintre tranzistori se micşorează, aceasta fiind o componentă esenţială pentru beneficiile tehnologice şi economice ale Legii lui Moore.

“De ani de zile asistăm la scăderea dimensiunilor tranzistorilor”, a declarat Moore. “Această schimbare a structurii de bază este cu adevărat revoluţionară, una care ar trebui să permită Legii lui Moore şi dinamicii istorice de inovare să continue”, a completat Moore.