Noua tehnologie produce o capacitate de stocare de 8GB într-un singur dispozitiv NAND cu memorie flash de tip multi-level cell (MLC). Creşterea volumului de date stocate şi noile tehnologii pentru tablet-uri şi smartphone-uri au creat noi cerinţe pentru tehnologia NAND flash, în special o capacitate mai mare de stocare pentru device-urile de mici dimensiuni.
Dispozitivul pe 20nm, de 8GB, are numai 118 mm şi reduce cu 30 până la 40% suprafaţa plăcii, faţă de tehnologia anterioară pe 25nm. Acest lucru generează o mai mare eficienţă a sistemului, ceea ce permite producătorilor de tablet-uri şi smartphone-uri să folosească spaţiul extra pentru a aduce îmbunătăţiri, precum o baterie sau un ecran mai mare, ori să adauge un nou chip cu alte funcţii.
Produs de IM Flash Technologies (IMFT), joint venture între Intel şi Micron, procesul pe 20nm permite obţinerea unei capacităţi de stocare de 8GB într-un singur dispozitiv NAND, fiind cea mai avansată tehnologie de la ora actuală din industrie, ceea ce extinde poziţia de lider a celor două companii.
Noul proces tehnologic este cel mai eficient mod de a creşte capacitatea de stocare, având în vedere şi faptul că oferă cu aproximativ 50% mai mult spaţiu de stocare comparativ cu tehnologia pe 25nm. Procesul tehnologic pe 20nm oferă performanţă şi rezistenţă asemănătoare generaţiei anterioare a tehnologiei.
Dispozitivul pe 20nm, de 8GB, este distribuit acum sub formă de mostre, estimându-se că va intra în producţia de serie în al doilea trimestru al lui 2011. În acest moment, Intel şi Micron sunt aşteptate să lanseze şi mostre de device-uri de 16GB, creând capacităţi de stocare de până la 128GB într-un singur SSD care e mai mic decât un timbru poştal din Statele Unite.
